首次采用模板法成功地控制六角氮化硼溝槽中石墨烯納米帶的生長，打開了石墨烯帶隙。同時，在室溫下測試其優異的電性能。用金屬納米顆粒刻蝕六方氮化硼單晶襯底，并切出沿鋸齒形方向具有直邊、單原子層厚度、一定可控寬度的納米溝槽，得到寬度小于10nm和1/1的石墨烯納米帶。用化學氣相沉積法測量溝槽中的幾微米的長度。結果表明，在溝槽中采用階梯外延生長石墨烯，在六方氮化硼的頂部可以形成連續晶格的平面內異質結構。他們已經開發了場效應晶體管（FET）。在室溫下，小于5nm器件的電流開關比大于1.0*104，載流子遷移率可達750cm2/(V.s)，電輸運帶隙可達0.5eV。王浩民的團隊在陶瓷基片上石墨烯的制備方面進行了創新，并獲得了美國和中國的發明專利。這篇論文發表在《自然通訊》雜志上。
Alba Centeno，MONIKER公司的研究人員，通過摻雜石墨烯，開發了一種新型的石墨烯陶瓷材料，以改善陶瓷的電氣和機械性能。石墨烯的團隊已經開發出一種新型的氧化石墨烯溶液，它已經發表在《歐洲雜志》的化學版上。采用SPS對氧化鋁和氧化石墨烯溶液的混合物進行均勻化，放電等離子燒結（SPS）可以快速釋放大電流陶瓷材料。從試驗結果可以看出，石墨烯的加入量為0.22％，陶瓷的抗裂性和抗拉強度提高了50％以上，導電性提高了近1.0×108倍，但其它性能沒有明顯變化。在石墨陶瓷中添加石墨烯可以提高其力學性能，電導率、拉伸強度等性能沒有受到影響。后來還研究了在鋁土礦中添加石墨烯以提高其抗拉強度，改變了陶瓷材料的脆性和硬度。該技術簡單、快捷，可用于各種領域。此外，該技術可用于改善其它陶瓷材料如ZrO2、SiC、TiO2和Si3N4。
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